Šiuo metu plačiai naudojami apdirbimo metodai, tokie kaip pjovimas, šlifavimas, poliravimas ir kt., Dėl perdirbtų medžiagų mikroįtrūkimų arba kristalizacijos kokybės defektų, nesvarbu, kaip pagerinti apdirbimo tikslumą ir patobulinti apdirbimo įrangą, visada yra tam tikri apribojimai. Profesorius Mori Yongzheng iš Osakos universiteto (Japonija) Inžinerijos fakulteto pasiūlė naują apdorojimo metodą naudojant chemines dujas, vadinamą plazmos CVM metodu. Tai technologija, kuri naudoja atomines chemines reakcijas, kad būtų gauti itin tikslūs paviršiai. Jo apdorojimo principas Kaip ir ėsdinant plazmoje, plazmoje aktyvuoti laisvieji radikalai reaguoja su ruošinio paviršiumi, paverčiant jas lakiomis molekulėmis, o apdorojimas realizuojamas išgarinant dujas, o plazma susidaro esant aukštam slėgiui. , galintis sukurti labai didelį tankį
laisvųjų radikalų, todėl šiuo apdorojimo būdu galima pasiekti apdorojimo greitį, prilygstamą mechaninio apdorojimo metodams.
Esant dideliam slėgiui, plazma yra uždaryta šalia elektrodų dėl itin mažo vidutinio laisvo dujų molekulių kelio. Taigi jį galima apdoroti nuskaitant elektrodą, O. Bet kokios formos dalys, kurių tikslumas yra 01 μm, taip pat gali apdoroti monokristalinę silicio plokštumą 50 μm/min greičiu, o apdoroto ruošinio paviršiaus šiurkštumas gali pasiekti 0,1 nm (Rrms).
Ateinantį šimtmetį CVM technologija bus taikoma daugelyje sričių, pvz., silicio lustų apdorojimas ir asferinių lęšių apdorojimas puslaidininkiniams eksponavimo įrenginiams. Šiuo metu kai kurie žmonės tiria CVM ir EEM derinį, kad apdorotų atomus, tokius kaip rentgeno veidrodžiai sinchrotronams. Plokščias savavališkas paviršius.